-
Effective mass?
hstreck/(d2E/dk2)
-
Fermi-Dirac -> Boltzmann approximation?
e(-(E-Ef)/kT)
-
Expression for electron concentration? (enbart halvledare)
Nc*e(-(Ec-Ef)/kT)
-
Expression for hole concentration? (enbart halvledare)
Nv*e(-(Ef-Ev)/kT)
-
-
-
Average kinetic energy?
3*kT/2
-
Thermal velocity?
sqrt(3kT/m) where m=0.26/0.39 m0 e/h
-
Drift velocity for holes?
µp*Ekrull
-
Drift velocity for electrons?
-µn*Ekrull (hastigheten i motsatt fältriktning!!)
-
-
-
-
Jn drift?
qnµnEkrull=-qnv
-
Conductivity of a semiconductor?
qnµn+qpµp
-
-
-
Ekrull(x)
=-dV/dx=q-1*dEc/dx
-
Arean under grafen för Ekrull är vad?
Øbi
-
Øbi?
(kT/q)*ln(NdNa/ni^2)
-
Poisson?
d^2V/dx^2 = -dEkrull/dx = -rå/es
-
Laddningstäthet p-sidan?
-qNa (Kompenserade dopatomer)
-
Förhållandet mellan Na, Nd, xn, xp?
Na|xp|=Nd|xn|
-
Wdep? pn-övergång
sqrt(2esØbi/qN)
-
Wdep, ej termisk jämvikt?
sqrt(2es(Øbi+Vr)/qN)
-
Cdep? (pn-övergång)
Aes/Wdep
-
Electron concentration at xp under forward bias?
np0e^(qV/kT)
-
Hole concentration at xn under forward bias?
pn0e^(qV/kT)
-
p'(x) (x i origo, pn-övergång)
pn0(e^(qV/kT)-1)e^-((x-xn)/Lp)
-
n'(x) (x i origo, pn-övergång)
np0(e^(qV/kT)-1)e^((x-xp)/Lp)
-
JpN? pn-övergång
-qDp*dp'(x)/dx = (qDp/Lp)*p'(x)
-
JnP? pn-övergång
-qDn*dn'(x)/dx = (qDn/Ln)*n'(x)
-
-
Io?
A(JpN+JnP)=Aqni^2(Dp/(LpNd)+Dn/(LpNa))
-
Io for metal semiconductor?
AKT2e-(qØb/kT)
-
I for metal semiconductor?
Same as for pn junction
-
-
-
-
Qdep?
-qNaWdep (negativ pga. negativt laddade acceptorjoner)
-
-
-
Maximum Wdep for MOS?
sqrt(2es2ØB/qNa)
-
När Vg går från negativ till positiv, i vilken ordning uppträder substratladdningarna Qsub?
A) Qacc, Qdep, Qinv
-
-
Vfb?
- Fim-(Xsi+Eg-(Ef-Ev))
- alt.
- Fim-(Xsi+Eg+ØB)
(negativ för P-body)
-
er/e0=3.9 ger eox=?
3.9*e0
-
Ekrull-botten i MOSFET?
-Qdep/es
-
Ekrull-toppen i MOSFET?
-(Qdep+Qinv)/es
-
Ids? (MOSFET)
(W/L)*Coxe*µns(Vgs-Vt-(m/2)*Vds)Vds
-
-
Idsat?
(W/2mL)*Coxe*µns*(Vgs-Vt)2
-
Bf i termer om strömmar? BJT
Ic/Ib
-
Bf i termer om Gummel-tal? BJT
GE/GB
-
IC? BJT
IS(eqVbe/kT-1)=Aqni2/GB(eqVbe/kT-1)
-
|
|